5SDD50N5500
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Diode de redressement au silicium, 1 phase, 1 élément, 4700A, 5000V V(RRM)
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| Référence | DC | Fabricant | Quantité | Fiche technique | Demander un devis |
|---|---|---|---|---|---|
| 5SDD50N5500 | ABBSEMI | 10 | Demander un devis |
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Spécifications
Les spécifications du produit sont fournies à titre indicatif. Vérifiez les informations officielles dans les fiches techniques ou autres documents publiés par le fabricant.
| Température de fonctionnement min. | 0 °C |
|---|---|
| Température de fonctionnement max. | 150 °C |
| Date d’introduction | 2002-12-17 |
| Nombre d’éléments | 1 |
| Nombre de bornes | 2 |
| Courant de surtension direct max. (Ifsm) | 73 kA |
| Courant de sortie max. | 4.7 kA |
| Tension inverse de maintien | 5 kV |
| Matériau du corps | Céramique |