DST857BDJ-7
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

DST857BDJ-7

Diodes Inc.
概要: 小信号 Bipolar トランジスタ, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-素子, PNP, シリコン
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
DST857BDJ-7 DIODES 10000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 50 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) -500 mV
連続コレクタ電流 (Ic) -100 mA
最大破壊電圧 45 V
最低動作温度 -55 °C
利得帯域幅積 (GBWP) 340 MHz
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOT-963
素子構成 2回路
hFE最小 200
発売日 2010-03-09
実装方式 表面実装
素子数 2
ピン数 6
端子数 6
梱包形態 テープ&リール
極性 PNP
耐放射線 いいえ
スケジュールB 8541210080, 8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080
遷移周波数 340 MHz
コレクタエミッタ間降伏電圧 45 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 45 V
エミッタベース間電圧 (VEBO) -5 V
最大コレクタ電流 100 mA
最大消費電力 300 mW
消費電力 300 mW