MMBT2222AT-7
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

MMBT2222AT-7

Diodes Inc.
概要: 小信号 Bipolar トランジスタ, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-素子, NPN, シリコン
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
MMBT2222AT-7 DIODES 342 1507 PDF 見積
MMBT2222AT-7 2003 10 PDF 見積
MMBT2222AT-7 - 300 PDF 見積
MMBT2222AT-7 DIODES 142 PDF 見積
MMBT2222AT-7 DIODES 342 1507 PDF 見積
MMBT2222AT-7 2,003 10 PDF 見積
MMBT2222AT-7 300 PDF 見積
MMBT2222AT-7 DIODES-INC 05 2500 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 75 V
連続コレクタ電流 (Ic) 600 mA
最大破壊電圧 40 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 40 V
800 µm
利得帯域幅積 (GBWP) 300 MHz
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOT-523
高さ 750 µm
長さ 1.6 mm
素子構成 1回路
周波数 300 MHz
hFE最小 40
発売日 2002-02-13
鉛フリー 鉛含有
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
極性 NPN
遷移周波数 300 MHz
重量 2.012816 mg
コレクタエミッタ間降伏電圧 40 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 40 V
定格電流 600 mA
エミッタベース間電圧 (VEBO) 6 V
最大コレクタ電流 600 mA
最大消費電力 150 mW
消費電力 150 mW