BC847BM3T5G
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BC847BM3T5G

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概要: バイポーラ トランジスタ - BJT 100mA 50V NPN SILCON
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
BC847BM3T5G ONSemiconductor 144000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 50 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 600 mV
最大破壊電圧 45 V
最低動作温度 -55 °C
850 µm
利得帯域幅積 (GBWP) 100 MHz
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOT-723-3
高さ 550 µm
長さ 1.25 mm
素子構成 1回路
周波数 100 MHz
hFE最小 200
鉛フリー 鉛フリー
最大周波数 100 MHz
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 テープ&リール
極性 NPN
耐放射線 なし
遷移周波数 100 MHz
コレクタエミッタ間降伏電圧 45 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 45 V
エミッタベース間電圧 (VEBO) 6 V
最大コレクタ電流 100 mA
最大消費電力 600 mW
消費電力 600 mW
コンタクトめっき
スケジュールB 8541210080, 8541210080|8541210080, 8541210080|8541210080|8541210080, 8541210080|8541210080|8541210080|8541210080