BC858
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

BC858

NXP Semiconductors
概要: 小信号バイポーラトランジスタ, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1素子, PNP, シリコン
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
BC858 PHILIPS 9,423 1067 PDF 見積
BC858 PHIL 2,000 2400 PDF 見積
bc858 **/1 90 2998 PDF 見積
BC858 CDIL 3000 PDF 見積
BC858 PHIL 99 1213 PDF 見積
BC858 PHILIPS 97 3000 PDF 見積
BC858 PHILIPS 97 3000 PDF 見積
BC858 Philips 9825 2826 PDF 見積
BC858 NXP 2599 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 650 mV
最大動作温度 150 °C
hFE最小 125
発売日 1985-10-16
素子数 1
端子数 3
遷移周波数 100 MHz
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 30 V
最大コレクタ電流 100 mA
最大消費電力 300 mW
最終受注日 1999-06-30
最終納入日 1999-12-31