BC859CT/R
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

BC859CT/R

NXP Semiconductors
概要: 小信号バイポーラトランジスタ, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1素子, PNP, シリコン, TO-236AB
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
BC859CT/R PHILIPS 114 3000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 30 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 650 mV
最低動作温度 -65 °C
定格電圧 (DC) -30 V
最大動作温度 150 °C
周波数 100 MHz
hFE最小 420
発売日 1997-09-01
鉛フリー 鉛フリー
最大周波数 100 MHz
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 テープ&リール (TR)
極性 PNP
耐放射線 なし
遷移周波数 100 MHz
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 30 V
定格電流 -100 mA
エミッタベース間電圧 (VEBO) 5 V
最大コレクタ電流 100 mA
最大消費電力 300 mW
消費電力 250 mW