BSP50
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

BSP50

onsemi
概要: 小信号バイポーラトランジスタ, 0.0008A I(C), 1素子, NPN, シリコン
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
BSP50 fsc dc0923 1890 PDF 見積
BSP50 ph dc95 460 PDF 見積
BSP50 PHIL 0 1554 PDF 見積
BSP50 11000 PDF 見積
BSP50 PHILIPS 93 9000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 60 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 1.3 V
最大破壊電圧 45 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 45 V
3.5 mm
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOT-223
高さ 1.6 mm
長さ 6.5 mm
素子構成 1回路
hFE最小 2000
発売日 2003-12-21
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 4
端子数 4
梱包形態 テープ&リール
極性 NPN
耐放射線 なし
遷移周波数 200 MHz
重量 188 mg
コレクタエミッタ間降伏電圧 45 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 45 V
定格電流 800 mA
エミッタベース間電圧 (VEBO) 5 V
最大コレクタ電流 800 µA
最大消費電力 1 W
コンタクトめっき