BUT12A
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

BUT12A

onsemi
概要: バイポーラ トランジスタ - BJT NPN Sil トランジスタ
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
BUT12A 10 PDF 見積
BUT12A fsc dc0935 510 PDF 見積
BUT12A FairchildSemicond 1718 PDF 見積
BUT12A SGS 87 19 PDF 見積
BUT12A SGS 87 19 PDF 見積
BUT12A TSL 4 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 1 kV
最低動作温度 -65 °C
定格電圧 (DC) 450 V
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ TO-220-3
素子構成 1回路
hFE最小 10
発売日 1995-04-01
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
素子数 1
端子数 3
梱包形態 バルク
極性 NPN
コレクタエミッタ間降伏電圧 450 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 450 V
定格電流 8 A
最大コレクタ電流 8 A
最大消費電力 125 W
消費電力 100 W