DTC143TCAT116
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

DTC143TCAT116

ROHM
概要: NPN, SOT-23, R1 Alone タイプ デジタル トランジスタ (Bias Resistor Built-in トランジスタ
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
DTC143TCAT116 ROHM 22 PDF 見積
DTC143TCAT116 ROHM 2022 2940 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 300 mV
最大破壊電圧 50 V
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ TO-236-3
hFE最小 100
発売日 1994-01-01
実装方式 表面実装
素子数 1
端子数 3
極性 NPN
遷移周波数 250 MHz
コレクタエミッタ間降伏電圧 50 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 50 V
最大コレクタ電流 100 mA
最大消費電力 200 mW
消費電力 200 mW
スケジュールB 8541210080