JANTXV2N3637
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

JANTXV2N3637

Microchip
概要: 汎用BJTトランジスタ PNP 175V 1A 1000mW 3-ピン TO-39 袋入り
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
JANTXV2N3637 CRYSTALONICS 9538 98 PDF 見積
JANTXV2N3637 MOTOROLACORP 6,541 6 PDF 見積
JANTXV2N3637 MOTOROLACORP 6,541 102 PDF 見積
JANTXV2N3637 TELEDYNE 6,485 5 PDF 見積
JANTXV2N3637 RAYTHEONSYSTEMS 2,139 11 PDF 見積
JANTXV2N3637 MOTOROLACORP 6,541 7 PDF 見積
JANTXV2N3637 MOTOROLACORP 6,541 1 PDF 見積
JANTXV2N3637 MOT 88 4 PDF 見積
JANTXV2N3637 RAY 92 1 PDF 見積
JANTXV2N3637 MICROSEMI 0 PDF 見積
jantxv2n3637 1 PDF 見積
JANTXV2N3637 CRYSTALONICS 9,538 98 PDF 見積
JANTXV2N3637 12 PDF 見積
JANTXV2N3637 MOTOROLA (Motorola Semiconductor) 83 4 PDF 見積
JANTXV2N3637 MOTOROLA (Motorola Semiconductor) 85 1 PDF 見積
JANTXV2N3637 RAYTHEON 80 7 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 175 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 600 mV
最低動作温度 -65 °C
最大接合温度 (Tj) 200 °C
最大動作温度 200 °C
ケース/パッケージ TO-39
高さ 6.6 mm
組立国 フィリピン
製造国 アメリカ合衆国
原産国 フィリピン
輸出管理分類番号(ECCN) EAR99
関税分類(HTS)コード 8541.10.0080
hFE最小 100
実装方式 スルーホール
素子数 1
梱包形態 バルク
極性 PNP
予想EOL日 2049-02-05
耐放射線 なし
コレクタエミッタ間降伏電圧 175 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 175 V
エミッタベース間電圧 (VEBO) 5 V
最大コレクタ電流 1 A
最大消費電力 1 W
消費電力 1 W
HSコード 8541.10.0080