MMBT5088LT1G
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

MMBT5088LT1G

onsemi
概要: バイポーラ (BJT) シングル トランジスタ, NPN, 30V, 50mA, 225mW, SOT-23, 表面実装
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 35 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 500 mV
最大破壊電圧 30 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 30 V
1.4 mm
利得帯域幅積 (GBWP) 50 MHz
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOT-23-3
高さ 1.01 mm
長さ 3.04 mm
素子構成 1回路
周波数 50 MHz
hFE最小 300
鉛フリー 鉛フリー
最大周波数 50 MHz
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 テープ&リール
極性 NPN
耐放射線 なし
遷移周波数 50 MHz
重量 4.535924 g
コレクタエミッタ間降伏電圧 30 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 30 V
定格電流 50 mA
エミッタベース間電圧 (VEBO) 4.5 V
最大コレクタ電流 50 mA
最大消費電力 225 mW