MMBT5771
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MMBT5771

onsemi
概要: PNP スイッチング トランジスタ RF 小信号 バイポーラトランジスタ, 0.2A I(C), 1素子, シリコン, PNP
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
MMBT5771 FAIRCHILD - 46 PDF 見積
MMBT5771 FAIRCHILD - 20 PDF 見積
MMBT5771 FAI 6000 PDF 見積
MMBT5771 6000 PDF 見積
MMBT5771 FAIRCHILD 46 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) -15 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 600 mV
最大破壊電圧 15 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) -15 V
ターンオフ遅延時間 20 ns
ターンオン遅延時間 15 ns
利得帯域幅積 (GBWP) 8.5 MHz
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOT-23
素子構成 1回路
周波数 8.5 MHz
hFE最小 50
発売日 1998-01-16
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
極性 PNP
耐放射線 なし
遷移周波数 700 MHz
重量 30 mg
コレクタエミッタ間降伏電圧 15 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 15 V
定格電流 -200 mA
エミッタベース間電圧 (VEBO) -4.5 V
最大コレクタ電流 200 mA
最大消費電力 350 mW
消費電力 225 mW