MMUN2238LT1G
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MMUN2238LT1G

onsemi
概要: NPN - Pre-Biased 246mW 100mA 50V SOT-23(SOT-23-3) デジタル トランジスタ RoHS
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
MMUN2238LT1G ONS 20000 PDF 見積
MMUN2238LT1G ON 743 2466 PDF 見積
MMUN2238LT1G ONS 2000 20000 PDF 見積
MMUN2238LT1G ONSemiconductor 2400 PDF 見積
MMUN2238LT1G ON 21 57100 PDF 見積
MMUN2238LT1G ON SEMICONDUCTOR 26318 PDF 見積
MMUN2238LT1G ON 57000 PDF 見積
MMUN2238LT1G ONSEMI 9000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
連続コレクタ電流 (Ic) 100 mA
最大破壊電圧 50 V
最低動作温度 -55 °C
動作供給電圧 50 V
定格電圧 (DC) 50 V
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOT-23-3
素子構成 1回路
hFE最小 160
発売日 1997-04-23
鉛フリー 鉛フリー
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 テープ&リール
極性 NPN
耐放射線 なし
コレクタエミッタ間降伏電圧 50 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 50 V
定格電流 100 mA
最大コレクタ電流 100 mA
最大出力電流 100 mA
最大消費電力 200 mW
消費電力 246 mW
ハロゲンフリー ハロゲンフリー
スケジュールB 8541210080, 8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080