NJVMJD32CT4G
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NJVMJD32CT4G

onsemi
概要: バイポーラトランジスタ - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V TR
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
NJVMJD32CT4G ONS 1600 PDF 見積
NJVMJD32CT4G ON SEMICONDUCTOR 10100 PDF 見積
NJVMJD32CT4G ON SEMICONDUCTOR 2500 PDF 見積
NJVMJD32CT4G ON 87500 PDF 見積
NJVMJD32CT4G ONSEMI 90000 PDF 見積
NJVMJD32CT4G ONSEMI 87500 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 100 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 1.2 V
連続コレクタ電流 (Ic) 3 A
最大破壊電圧 100 V
最低動作温度 -65 °C
6.22 mm
利得帯域幅積 (GBWP) 3 MHz
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ DPAK
高さ 2.38 mm
長さ 6.73 mm
素子構成 1回路
周波数 3 MHz
hFE最小 10
鉛フリー 鉛フリー
最大周波数 1 MHz
素子数 1
ピン数 3
端子数 2
梱包形態 テープ&リール
極性 PNP
耐放射線 なし
遷移周波数 3 MHz
コレクタエミッタ間降伏電圧 100 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 100 V
エミッタベース間電圧 (VEBO) 5 V
最大コレクタ電流 3 A
最大消費電力 15 W
消費電力 15 W
コンタクトめっき