NTE65
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

NTE65

NTE Electronics
概要: replacement トランジスタ BIPO HI-V 低ノイズ
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
NTE65 344 PDF 見積
NTE65 NTE . 2 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 20 V
最低動作温度 -65 °C
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOT
hFE最小 30
発売日 1992-06-01
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
遷移周波数 5 GHz
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 15 V
エミッタベース間電圧 (VEBO) 3 V
最大コレクタ電流 30 mA
最大消費電力 180 mW
本体材質 セラミック