PDTC143TU
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

PDTC143TU

NXP Semiconductors
概要: R1=4.7 KILO Ω, R2=OPEN, NPN 抵抗-EQUIPPED トランジスタ 小信号 バイポーラトランジスタ, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1素子, NPN, シリコン
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
PDTC143TU nxp dc0713 30000 PDF 見積
PDTC143TU 111000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 100 mV
最低動作温度 -65 °C
1.35 mm
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOT-323
高さ 1 mm
長さ 2.2 mm
素子構成 1回路
hFE最小 200
発売日 1999-05-21
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 カットテープ
極性 NPN
コレクタエミッタ間降伏電圧 50 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 50 V
エミッタベース間電圧 (VEBO) 5 V
最大コレクタ電流 100 mA
最大消費電力 200 mW
消費電力 200 mW
コンタクトめっき
定格 AEC-Q101