SPZTA42T1G
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異なる場合があります。

SPZTA42T1G

onsemi
概要: 小信号バイポーラトランジスタ, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1素子, NPN, シリコン, TO-261AA
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SPZTA42T1G ON SEMICONDUCTOR 1000 PDF 見積
SPZTA42T1G ON 14000 PDF 見積
SPZTA42T1G ON 3000 PDF 見積
SPZTA42T1G ON 838 PDF 見積
SPZTA42T1G Onsemi 22+ 35365 PDF 見積
SPZTA42T1G ON 17218 PDF 見積
SPZTA42T1G ONSEMI 30000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 300 V
最低動作温度 -65 °C
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOT-223-4
hFE最小 40
発売日 1999-01-01
鉛フリー 鉛フリー
素子数 1
ピン数 4
端子数 4
梱包形態 テープ&リール
極性 NPN
耐放射線 なし
遷移周波数 50 MHz
コレクタエミッタ間降伏電圧 300 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 300 V
最大コレクタ電流 500 mA
最大消費電力 1.5 W
定格 AEC-Q101
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080