UMB4NTN
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

UMB4NTN

ROHM
概要: 小信号バイポーラトランジスタ, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-素子, PNP, シリコン
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
UMB4NTN rohm dc00 275680 PDF 見積
UMB4NTN rohm dc04 2770 PDF 見積
UMB4N-TN ROHM 420 6000 PDF 見積
UMB4N-TN ROHM 5 2616 PDF 見積
UMB4NTN ROHM 9,912 1962 PDF 見積
UMB4NTN ROHM 9,829 2178 PDF 見積
UMB4NTN ROHM 528 3000 PDF 見積
UMB4NTN ROHM 505 9000 PDF 見積
UMB4NTN ROHM 100 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 300 mV
連続コレクタ電流 (Ic) -100 mA
最大破壊電圧 50 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) -50 V
最大動作温度 150 °C
素子構成 2回路
hFE最小 100
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
素子数 2
ピン数 6
端子数 6
梱包形態 Digi-Reel®
極性 PNP
耐放射線 なし
遷移周波数 250 MHz
コレクタエミッタ間降伏電圧 50 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 50 V
定格電流 -100 mA
エミッタベース間電圧 (VEBO) -5 V
最大コレクタ電流 100 mA
最大消費電力 150 mW
消費電力 150 mW