UPA810T
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

UPA810T

NEC
概要: RF 小信号 バイポーラトランジスタ, 0.1A I(C), 2-素子, 超高周波帯, シリコン, NPN
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
連続コレクタ電流 (Ic) 100 mA
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SO
素子構成 1回路
hFE最小 70
発売日 1996-06-01
素子数 2
端子数 6
極性 NPN
遷移周波数 4.5 GHz
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 12 V
エミッタベース間電圧 (VEBO) 3 V
最大コレクタ電流 100 mA