2N4124G
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異なる場合があります。

2N4124G

onsemi
概要: トランジスタ, Bipolar,Si,NPN,汎用,VCEO 25VDC,IC 200mA,PD 1.5W,TO-92
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
2N4124G ON - 255 PDF 見積
2N4124G 06+ 20 PDF 見積
2N4124G 15000 PDF 見積
2N4124G ON 255 PDF 見積
2N4124G 6 20 PDF 見積
2N4124G ON SEMICONDUCTOR 401 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 30 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 300 mV
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 25 V
4.19 mm
利得帯域幅積 (GBWP) 300 MHz
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ TO-92-3
高さ 5.33 mm
長さ 5.2 mm
素子構成 1回路
周波数 300 MHz
hFE最小 60
発売日 1996-03-15
鉛フリー 鉛フリー
最大周波数 100 MHz
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 バルク
極性 NPN
耐放射線 なし
遷移周波数 300 MHz
重量 4.535924 g
コレクタエミッタ間降伏電圧 25 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 25 V
定格電流 200 mA
エミッタベース間電圧 (VEBO) 5 V
最大コレクタ電流 200 mA
最大消費電力 350 mW