BCW65CLT1G
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

BCW65CLT1G

onsemi
概要: ON SEMI BCW65CLT1G NPN BIPOLAR トランジスタ, 0.8 A, 32 V, 3-ピン SOT-23
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
BCW65CLT1G ONS 18000 PDF 見積
BCW65CLT1G 30000 PDF 見積
BCW65CLT1G ONSemiconductor 5826 PDF 見積
BCW65CLT1G ON SEMICONDUCTOR 121 PDF 見積
BCW65CLT1G ON 9000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 60 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 700 mV
最大破壊電圧 32 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 32 V
1.4 mm
利得帯域幅積 (GBWP) 100 MHz
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOT-23-3
高さ 1.11 mm
長さ 3.04 mm
素子構成 1回路
周波数 100 MHz
hFE最小 100
鉛フリー 鉛フリー
最大周波数 100 MHz
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 テープ&リール
極性 NPN
耐放射線 なし
遷移周波数 100 MHz
コレクタエミッタ間降伏電圧 32 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 32 V
定格電流 800 mA
エミッタベース間電圧 (VEBO) 5 V
最大コレクタ電流 800 mA
最大消費電力 300 mW
消費電力 300 mW