FZT789ATA
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

FZT789ATA

Diodes Inc.
概要: パワー Bipolar トランジスタ, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-素子, PNP, シリコン, Plastic/Epoxy, 4 ピン
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
FZT789ATA ZETEX 00/03 537 PDF 見積
FZT789ATA ZETEX 2000 11000 PDF 見積
FZT789ATA ZETEX 5 1000 PDF 見積
FZT789ATA ZETEX 1000 PDF 見積
FZT789ATA ZETEX 38 721 PDF 見積
FZT789ATA 380 PDF 見積
FZT789ATA ZETEX 00/03 537 PDF 見積
FZT789ATA 15000 PDF 見積
FZT789ATA ZETEX 0 100 PDF 見積
FZT789ATA DIODES INC. 840 PDF 見積
FZT789ATA ZETEX 2244 PDF 見積
FZT789ATA DIODES INC(RoHS) 19 40 PDF 見積
FZT789ATA ZETEX (Zetex Semiconductors) 00 40 PDF 見積
FZT789ATA DIODES 8000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 30 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 500 mV
連続コレクタ電流 (Ic) -3 A
最大破壊電圧 25 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) -25 V
3.7 mm
利得帯域幅積 (GBWP) 100 MHz
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOT-223
高さ 1.65 mm
長さ 6.7 mm
素子構成 1回路
周波数 100 MHz
hFE最小 300
発売日 1993-01-01
鉛フリー 鉛フリー
最大周波数 100 MHz
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 4
端子数 4
梱包形態 カットテープ
極性 PNP
耐放射線 なし
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
遷移周波数 100 MHz
重量 7.994566 mg
コレクタエミッタ間降伏電圧 25 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 25 V