MUN5211DW1T1G
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実際の製品とは
異なる場合があります。

MUN5211DW1T1G

onsemi
概要: Bipolar Pre-Biased/デジタル トランジスタ, BRT, 2回路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
MUN5211DW1T1G ONS 1,232 13760 PDF 見積
MUN5211DW1T1G ONS 777202 PDF 見積
MUN5211DW1T1G ONS 1232 8697 PDF 見積
MUN5211DW1T1G 816202 PDF 見積
MUN5211DW1T1G 15000 PDF 見積
MUN5211DW1T1G ON SEMICONDUCTOR 4905 PDF 見積
MUN5211DW1T1G ON 440 PDF 見積
MUN5211DW1T1G ON-SEMI(RoHS) 21 190 PDF 見積
MUN5211DW1T1G ON-SEMI(RoHS) 21 325 PDF 見積
MUN5211DW1T1G ON-SEMI(RoHS) 22 230 PDF 見積
MUN5211DW1T1G ON-SEMI(RoHS) 22 250 PDF 見積
MUN5211DW1T1G ON-SEMI(RoHS) 22 400 PDF 見積
MUN5211DW1T1G ON 10000 PDF 見積
MUN5211DW1T1G ONSEMI 60000 PDF 見積
MUN5211DW1T1G 315000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 50 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 250 mV
連続コレクタ電流 (Ic) 100 mA
最大破壊電圧 50 V
最低動作温度 -55 °C
動作供給電圧 50 V
定格電圧 (DC) 50 V
1.25 mm
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOT-363
高さ 1.1 mm
長さ 2 mm
素子構成 2回路
hFE最小 35
発売日 1996-11-25
鉛フリー 鉛フリー
素子数 2
ピン数 6
端子数 6
梱包形態 テープ&リール
極性 NPN
耐放射線 なし
コレクタエミッタ間降伏電圧 50 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 50 V
定格電流 100 mA
最大コレクタ電流 100 mA
最大出力電流 100 mA
最大消費電力 150 mW
消費電力 250 mW