2N3859A
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

2N3859A

onsemi
概要: 小信号 バイポーラトランジスタ, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-素子, NPN, シリコン, TO-92
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
2N3859A GE - 35 PDF 見積
2N3859A GE NDC 80 PDF 見積
2N3859A 1758 PDF 見積
2N3859A NSC 90 1700 PDF 見積
2N3859A NSC 89 550 PDF 見積
2N3859A NSC 89 4781 PDF 見積
2N3859A NSC 89 967 PDF 見積
2N3859A GE 35 PDF 見積
2N3859A NATIONAL SEMICONDUCTOR 70 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 60 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 60 V
利得帯域幅積 (GBWP) 250 MHz
最大動作温度 125 °C
ケース/パッケージ TO-92
素子構成 1回路
周波数 250 MHz
hFE最小 100
発売日 1994-01-01
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 バルク
極性 NPN
遷移周波数 90 MHz
コレクタエミッタ間降伏電圧 60 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 60 V
定格電流 500 A
エミッタベース間電圧 (VEBO) 6 V
最大コレクタ電流 100 mA
最大消費電力 200 mW
消費電力 625 mW