BD241CG
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

BD241CG

onsemi
概要: 100V 40W 3A 10@3A4V 3MHz 1.2V@3A600mA NPN -65℃~+150℃@(Tj) TO-220 バイポーラトランジスタ - BJT RoHS
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
BD241CG ONS 200 PDF 見積
BD241CG 1400 PDF 見積
BD241CG ONSemiconductor 2377 PDF 見積
BD241CG ON SEMICONDUCTOR 300 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 90 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 1.2 V
最低動作温度 -65 °C
定格電圧 (DC) 100 V
利得帯域幅積 (GBWP) 3 MHz
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ TO-220-3
素子構成 1回路
周波数 3 MHz
hFE最小 10
発売日 1995-07-01
鉛フリー 鉛フリー
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
極性 NPN
耐放射線 なし
遷移周波数 3 MHz
コレクタエミッタ間降伏電圧 100 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 100 V
定格電流 3 A
エミッタベース間電圧 (VEBO) 5 V
最大コレクタ電流 3 A
最大消費電力 40 W
消費電力 40 mW
コンタクトめっき
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080