BD244B
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

BD244B

onsemi
概要: バイポーラトランジスタ - BJT PNP Epitaxial Sil
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
BD244B SGS 87 85 PDF 見積
BD244B bourns dc03 9148 PDF 見積
BD244B BOURNS 3 1204 PDF 見積
BD244B **/1 90 24 PDF 見積
BD244B CDIL 1000 PDF 見積
BD244B FairchildSemicond 1200 PDF 見積
お問い合わせ
主な取引先
FORESKYが選ばれる理由
  • 入手困難品もスピード調達
  • 元メーカー技術者が代替品を提案
  • 基本6ヶ月保証(返金・交換対応)
  • 部品表の全品目を一括で調達代行
製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) -80 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 1.5 V
最大破壊電圧 80 V
最低動作温度 -65 °C
定格電圧 (DC) -80 V
利得帯域幅積 (GBWP) 3 MHz
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ TO-220-3
素子構成 1回路
hFE最小 15
発売日 1986-07-01
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
素子数 1
端子数 3
梱包形態 バルク
極性 PNP
遷移周波数 2 MHz
重量 1.8 g
コレクタエミッタ間降伏電圧 80 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 80 V
定格電流 -6 A
エミッタベース間電圧 (VEBO) -5 V
最大コレクタ電流 6 A
最大消費電力 65 W
消費電力 65 W
コンタクトめっき