BD436TG
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

BD436TG

onsemi
概要: パワー バイポーラトランジスタ, 4A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-素子, PNP, シリコン, TO-225AA, プラスチック/Epoxy, 3 ピン
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
BD436TG ONSemiconductor 650 PDF 見積
BD436TG ON 194 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 32 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 500 mV
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) -32 V
利得帯域幅積 (GBWP) 3 MHz
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ TO-225
素子構成 1回路
周波数 3 MHz
hFE最小 50
発売日 1999-01-01
鉛フリー 鉛フリー
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
極性 PNP
耐放射線 なし
遷移周波数 3 MHz
コレクタエミッタ間降伏電圧 32 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 32 V
定格電流 -4 A
エミッタベース間電圧 (VEBO) 5 V
最大コレクタ電流 4 A
最大消費電力 36 W
消費電力 36 W
コンタクトめっき
最終受注日 2014-06-20
最終納入日 2014-12-20
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080