DTA115TMT2L
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

DTA115TMT2L

ROHM
概要: 小信号 バイポーラトランジスタ, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO(コレクタ-エミッタ間降伏電圧), 1-素子, PNP, シリコン
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
DTA115TMT2L ROHM 2011 7812 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 300 mV
最低動作温度 -55 °C
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOT-723
素子構成 1回路
hFE最小 100
発売日 2001-03-01
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 テープ&リール
極性 PNP
耐放射線 なし
遷移周波数 250 MHz
コレクタエミッタ間降伏電圧 50 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 50 V
最大コレクタ電流 100 mA
最大消費電力 150 mW