FJV3115RMTF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

FJV3115RMTF

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概要: NPN EPITAXIAL シリコン トランジスタ 小信号 バイポーラトランジスタ, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO(コレクタ-エミッタ間降伏電圧), 1-素子, NPN, シリコン
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
FJV3115RMTF FSC 524 9000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 50 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 300 mV
連続コレクタ電流 (Ic) 100 mA
最大破壊電圧 50 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 50 V
1.3 mm
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOT-23-3
高さ 930 µm
長さ 2.92 mm
素子構成 1回路
hFE最小 33
発売日 2002-08-29
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
極性 NPN
耐放射線 なし
遷移周波数 250 MHz
重量 30 mg
コレクタエミッタ間降伏電圧 50 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 50 V
定格電流 100 mA
エミッタベース間電圧 (VEBO) 10 V
最大コレクタ電流 100 mA
最大消費電力 200 mW
コンタクトめっき