JANS2N3501
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

JANS2N3501

Microchip
概要: NPNトランジスタ 150V 0.3A TO-39/汎用BJTトランジスタ NPN 150V 0.3A 1000mW 3ピン TO-39 トレイ
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
JANS2N3501 Semicoa 1,491 6 PDF 見積
JANS2N3501 Semicoa 1,491 1 PDF 見積
JANS2N3501 MOTOROLACORP 6,541 4 PDF 見積
JANS2N3501 MOTOROLACORP 6,541 3 PDF 見積
JANS2N3501 MOTOROLACORP 6,541 14 PDF 見積
JANS2N3501 MOTOROLA (Motorola Semiconductor) 90 9 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 150 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 400 mV
最低動作温度 -65 °C
最大接合温度 (Tj) 200 °C
最大動作温度 200 °C
ケース/パッケージ TO-39
高さ 4.7 mm
組立国 アメリカ合衆国
製造国 アメリカ合衆国
原産国 アメリカ合衆国
輸出管理分類番号(ECCN) EAR99
関税分類(HTS)コード 8541.29.0095
hFE最小 100
実装方式 スルーホール
素子数 1
梱包形態 バルク
予想EOL日 2049-02-05
耐放射線 なし
コレクタエミッタ間降伏電圧 150 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 150 V
エミッタベース間電圧 (VEBO) 6 V
最大コレクタ電流 300 mA
最大消費電力 1 W
消費電力 1 W
HSコード 8541.29.0055, 8541.29.0095
スケジュールB 8541210080, 8541290080, 8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080