JANTX2N3735
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

JANTX2N3735

Microchip
概要: トランジスタ NPN シリコン スイッチング 40V 1.5A TO-39
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
JANTX2N3735 RAYTHEONSYSTEMS 2,139 5 PDF 見積
JANTX2N3735 MOTOROLACORP 6,541 55 PDF 見積
JANTX2N3735 MOTOROLACORP 6,541 3 PDF 見積
JANTX2N3735 MOTOROLACORP 6,541 1 PDF 見積
JANTX2N3735 MOTOROLACORP 6,541 4 PDF 見積
JANTX2N3735 MOTOROLACORP 6,541 4 PDF 見積
JANTX2N3735 Semicoa 1,491 3 PDF 見積
JANTX2N3735 MICROSEMICORP 7,667 3 PDF 見積
JANTX2N3735 RAYTHON 3,104 4 PDF 見積
JANTX2N3735 MOTOROLACORP 6,541 3 PDF 見積
JANTX2N3735 Motorola 79 302 PDF 見積
jantx2n3735 4 PDF 見積
JANTX2N3735 MOTOROLA (Motorola Semiconductor) 83 25 PDF 見積
JANTX2N3735 Microsemi 6717 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 75 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 900 mV
最低動作温度 -65 °C
最大接合温度 (Tj) 200 °C
最大動作温度 200 °C
ケース/パッケージ TO-39
高さ 6.6 mm
組立国 フィリピン
製造国 アメリカ合衆国
原産国 フィリピン
輸出管理分類番号(ECCN) EAR99
周波数 250 MHz
関税分類(HTS)コード 8541.29.0095
hFE最小 20
鉛フリー 鉛含有
最大周波数 250 MHz
実装方式 スルーホール
素子数 1
梱包形態 バルク
極性 NPN
予想EOL日 2049-02-05
耐放射線 なし
コレクタエミッタ間降伏電圧 40 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 40 V
エミッタベース間電圧 (VEBO) 5 V
最大コレクタ電流 1.5 A
最大消費電力 1 W
消費電力 1 W
HSコード 8541.29.0055, 8541.29.0095
スケジュールB 8541100080, 8541290080