MMUN2231LT1
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

MMUN2231LT1

onsemi
概要: 小信号 バイポーラトランジスタ, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO(コレクタ-エミッタ間降伏電圧), 1-素子, NPN, シリコン, TO-236AB
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
MMUN2231LT1 on dc0432 6000 PDF 見積
MMUN2231LT1 ONSemiconductor 200 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
連続コレクタ電流 (Ic) 100 mA
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 50 V
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOT-23-3
素子構成 1回路
hFE最小 8
発売日 1997-04-23
鉛フリー 鉛含有
実装方式 表面実装
素子数 1
端子数 3
梱包形態 テープ&リール (TR)
極性 NPN
コレクタエミッタ間降伏電圧 50 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 50 V
定格電流 100 mA
最大コレクタ電流 100 mA
最大消費電力 200 mW
消費電力 246 mW
最終受注日 2006-12-31
最終納入日 2007-06-30