MSD601-RT1
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

MSD601-RT1

onsemi
概要: NPNトランジスタ 50V 0.1A SC59/NPN 汎用 アンプ トランジスタ 表面実装
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
MSD601-RT1 ON SEMI. 430 945 PDF 見積
MSD601RT1 mot dc9540 3400 PDF 見積
MSD601-RT1 MOTOROLACORP 6,541 2932 PDF 見積
MSD601-RT1 ONSEMI. 430 945 PDF 見積
MSD601-RT1 ON SEMICONDUCTOR 138000 PDF 見積
MSD601-RT1 ON-SEMI (ON Semiconductor) 00 6000 PDF 見積
MSD601-RT1 ON-SEMI (ON Semiconductor) 0045 1400 PDF 見積
MSD601-RT1 ON-SEMI (ON Semiconductor) 0046 1970 PDF 見積
MSD601-RT1 ON 12000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 60 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 500 mV
最大破壊電圧 50 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 50 V
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ TO-236-3
素子構成 1回路
hFE最小 210
鉛フリー 鉛含有
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 テープ&リール
極性 NPN
遷移周波数 150 MHz
コレクタエミッタ間降伏電圧 50 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 25 V
定格電流 100 mA
エミッタベース間電圧 (VEBO) 7 V
最大コレクタ電流 100 mA
最大消費電力 200 mW
消費電力 200 mW