SMMBT3904LT1G
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

SMMBT3904LT1G

onsemi
概要: 40V 300mW 100@10mA,1V 200mA NPN SOT-23(TO-236) バイポーラトランジスタ - BJT RoHS
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SMMBT3904LT1G ON 2131+ 187900 PDF 見積
SMMBT3904LT1G ON 40 PDF 見積
SMMBT3904LT1G ON 3000 PDF 見積
SMMBT3904LT1G ON-SEMI(RoHS) 17 535 PDF 見積
SMMBT3904LT1G ON-SEMI(RoHS) 17 760 PDF 見積
SMMBT3904LT1G ON-SEMI(RoHS) 17 2670 PDF 見積
SMMBT3904LT1G ON-SEMI(RoHS) 17 2740 PDF 見積
SMMBT3904LT1G ON 270051 PDF 見積
SMMBT3904LT1G ONSEMI 6000 PDF 見積
SMMBT3904LT1G ON Semi 605 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 60 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 300 mV
最大破壊電圧 40 V
最低動作温度 -55 °C
1.4 mm
利得帯域幅積 (GBWP) 300 MHz
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOT-23-3
高さ 1.11 mm
長さ 3.04 mm
素子構成 1回路
周波数 300 MHz
hFE最小 30
発売日 1997-02-05
鉛フリー 鉛フリー
最大周波数 300 MHz
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 テープ&リール
極性 NPN
耐放射線 なし
遷移周波数 300 MHz
コレクタエミッタ間降伏電圧 40 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 40 V
エミッタベース間電圧 (VEBO) 6 V
最大コレクタ電流 200 mA
最大消費電力 300 mW
消費電力 225 mW