SSTA28T116
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

SSTA28T116

ROHM
概要: 小信号 バイポーラトランジスタ, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-素子, NPN, シリコン
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SSTA28T116 ROHM 310 3000 PDF 見積
SSTA28T116 ROHM 100 PDF 見積
SSTA28-T116 ROHM 0032 2645 PDF 見積
SSTA28T116 ROHM 2022 2755 PDF 見積
SSTA28T116 ROHM 2022 3000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 80 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 1.5 V
最大破壊電圧 80 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 80 V
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOT-23
素子構成 1回路
hFE最小 10000
発売日 1994-01-01
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 カットテープ
極性 NPN
耐放射線 なし
遷移周波数 200 MHz
コレクタエミッタ間降伏電圧 80 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 80 V
定格電流 300 mA
エミッタベース間電圧 (VEBO) 12 V
最大コレクタ電流 300 mA
最大消費電力 200 mW
消費電力 200 mW
終端 SMD/SMT