CIH10T3N3SNC
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

CIH10T3N3SNC

Samsung Electro-Mechanics
カテゴリ: 固定インダクタ
概要: Ind 高 Frequency チップ Multi-Layer 3.3nH 0.3nH 100MHz 10Q-力率 セラミック 800mA 0603 Paper T/R
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
CIH10T3N3SNC - 46 PDF 見積
CIH10T3N3SNC SAMSUNG - 40 PDF 見積
CIH10T3N3SNC n/a 3102 PDF 見積
CIH10T3N3SNC 46 PDF 見積
CIH10T3N3SNC SAMSUNG 40 PDF 見積
お問い合わせ
主な取引先
FORESKYが選ばれる理由
  • 入手困難品もスピード調達
  • 元メーカー技術者が代替品を提案
  • 基本6ヶ月保証(返金・交換対応)
  • 部品表の全品目を一括で調達代行
製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最低動作温度 -55 °C
800 µm
インダクタンス 3.3 nH
自己共振周波数 6 GHz
試験周波数 100 MHz
最大動作温度 125 °C
ケース/パッケージ 0603
高さ 800 µm
長さ 1.6 mm
直流抵抗 (DCR) 120 mΩ
奥行 950 µm
発売日 2009-04-21
実装方式 表面実装
回路数 1
端子数 2
梱包形態 テープ&リール
Q値 10
耐放射線 いいえ
許容差 9.091 %
定格電流 800 mA
DC電流 800 mA
最大電流定格 800 mA
最大DC電流 800 mA
コア材質 セラミック
軍用規格 なし
スケジュールB 8504500000
シールド 非シールド