LQP03TN0N8B02D
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LQP03TN0N8B02D

Murata
カテゴリ: 固定インダクタ
概要: インダクタ RF チップ 薄膜 フィルム 0.8nH 0.1nH 500MHz 14Q値 800mA 80mΩ 直流抵抗 0201 紙テープ T/R
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
LQP03TN0N8B02D MURATA 359 PDF 見積
LQP03TN0N8B02D MURATA(RoHS) 1144 15000 PDF 見積
LQP03TN0N8B02D MURATA(RoHS) 1126 15000 PDF 見積
LQP03TN0N8B02D MURATA(RoHS) 1126 15000 PDF 見積
LQP03TN0N8B02D MURATA(RoHS) 1126 15000 PDF 見積
LQP03TN0N8B02D MURATA(RoHS) 1144 15000 PDF 見積
LQP03TN0N8B02D Murata Electronics 10544 PDF 見積
LQP03TN0N8B02D MURATA 60000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最大実装高 330.2 µm
最低動作温度 -55 °C
300 µm
インダクタンス 800 pH
自己共振周波数 18 GHz
試験周波数 500 MHz
最大動作温度 125 °C
実効電流 (Irms) 800 mA
ケースコード (インチ) 0201
ケースコード (メトリック) 0603
ケース/パッケージ 0201
電流 600 mA
高さ 300 µm
長さ 600 µm
直流抵抗 (DCR) 80 mΩ
奥行 330 µm
発売日 2010-04-15
実装方式 表面実装
回路数 1
端子数 2
Q値 14
耐放射線 なし
許容差 12.5 %
定格電流 800 mA
DC電流 800 mA
最大電流定格 800 mA
最大DC電流 800 mA
構成 薄膜
コア材質 非磁性
軍用規格 なし