M29W800DT70N6F
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

M29W800DT70N6F

STMicroelectronics
カテゴリ: フラッシュメモリ
概要: 8M (X8/X16) 3V, ブートブロック, トップ, TSOP48
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
M29W800DT70N6F STMICROELECTRONICS 0 110 PDF 見積
M29W800DT70N6F MICRON 3000 PDF 見積
M29W800DT70N6F MICRON 2012 3000 PDF 見積
M29W800DT70N6F 4500 PDF 見積
M29W800DT70N6F MICRON 3000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最大実装高 1.2 mm
最低動作温度 -40 °C
動作供給電圧 3 V
12 mm
データバス幅 16 b
最大動作温度 85 °C
温度グレード 産業用
ケース/パッケージ TSSOP
長さ 18.4 mm
アクセス時間 70 ns
インターフェース パラレル
メモリ種別 フラッシュ
実装方式 表面実装
回路数 1
ピン数 48
端子数 48
梱包形態 バルク
端子ピッチ 500 µm
最大供給電流 20 mA
最大電源電圧 3.6 V
最小電源電圧 2.7 V