M29W800AT120N6
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

M29W800AT120N6

STMicroelectronics
カテゴリ: フラッシュメモリ
概要: 8 Mビット (1Mビット X 8 OR 512Kビット X 16, BOOT ブロック) 低 電圧 シングル 電源 フラッシュメモリ フラッシュ, 512KX16, 120ns, PDSO48
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
M29W800AT120N6 sgs dc9909 576 PDF 見積
M29W800AT120N6 U/K 99 100 PDF 見積
M29W800AT120N6 SGS-Thomson 10 PDF 見積
M29W800AT120N6 SGS-Thomson 3600 PDF 見積
M29W800AT-120N6 STMicroelectronics 180 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最大実装高 1.2 mm
最低動作温度 -40 °C
動作供給電圧 3 V
12 mm
データバス幅 16 b
最大動作温度 85 °C
温度グレード 産業用
ケース/パッケージ TSOP
長さ 18.4 mm
メモリサイズ 1 MB
アクセス時間 120 ns
インターフェース パラレル
発売日 1980-01-04
メモリ種別 フラッシュ
回路数 1
端子数 48
端子ピッチ 500 µm
最大供給電流 20 mA
最大電源電圧 3.6 V
最小電源電圧 2.7 V