NAND04GW3B2BN6F
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

NAND04GW3B2BN6F

STMicroelectronics
カテゴリ: フラッシュメモリ
概要: フラッシュ, 512MX8, 25ns, PDSO48
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
NAND04GW3B2BN6F STMICRO 651 4570 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最大実装高 1.2 mm
最低動作温度 -40 °C
動作供給電圧 3 V
12 mm
データバス幅 8 b
最大動作温度 85 °C
温度グレード 産業用
ケース/パッケージ TSOP
長さ 18.4 mm
メモリサイズ 512 MB
アクセス時間 25 ns
インターフェース パラレル
メモリ種別 フラッシュ
回路数 1
端子数 48
端子ピッチ 500 µm
最大供給電流 30 mA
最大電源電圧 3.6 V
最小電源電圧 2.7 V