NCP5181DR2G
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

NCP5181DR2G

onsemi
カテゴリ: ゲートドライバ
概要: MOSFET/IGBT ドライバ, ハイ 電圧, ハイ / ロー 側, 2回路 入力
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
NCP5181DR2G ON 6 162 PDF 見積
NCP5181DR2G ONS 2000 1720 PDF 見積
NCP5181DR2G SCGHONGKONGSAR 1180 PDF 見積
NCP5181DR2G ON SEMICONDUCTOR 300 PDF 見積
NCP5181DR2G ON 2500 PDF 見積
NCP5181DR2G ONSEMI 5000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最大実装高 1.75 mm
最低動作温度 -40 °C
動作供給電圧 15 V
出力電圧 (Vout) 620.3 V
3.9 mm
ターンオン遅延時間 170 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 125 °C
温度グレード 車載
ケース/パッケージ SOP
高さ 1.75 mm
長さ 4.9 mm
出力数 2
立下り 時間 40 ns
発売日 2006-03-10
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 2
回路数 1
ドライバ数 2
ピン数 8
端子数 8
梱包形態 カットテープ
伝搬遅延 100 ns
耐放射線 なし
立上り 時間 60 ns
端子ピッチ 1.27 mm
最大出力電流 2.2 A
最大消費電力 178 mW
最大供給電流 6.5 mA