FP35R12KT4_B15
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

FP35R12KT4_B15

Infineon
カテゴリ: IGBT
概要: 絶縁 ゲート Bipolar トランジスタ, 130A I(C), 1200V V(BR)CES, N-チャネル
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
FP35R12KT4_B15 Infineon 5686 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 2.15 V
最大動作温度 175 °C
発売日 2009-09-02
素子数 7
ピン数 23
端子数 24
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 1.2 kV
最大コレクタ電流 130 A
最大消費電力 210 W