STGW40H65DFB
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

STGW40H65DFB

STMicroelectronics
カテゴリ: IGBT
概要: Trench ゲート field-stop IGBT, HB シリーズ 650 V, 40 A 高速
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
STGW40H65DFB ST 21 700 PDF 見積
STGW40H65DFB ST 18000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 1.8 V
最低動作温度 -55 °C
5.15 mm
最大動作温度 175 °C
ケース/パッケージ TO-247-3
高さ 20.15 mm
長さ 15.75 mm
素子構成 1回路
発売日 2013-03-12
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
ピン数 3
逆方向 回復 時間 62 ns
重量 38.000013 g
コレクタエミッタ間降伏電圧 650 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 650 V
最大コレクタ電流 80 A
最大消費電力 283 W
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080