IKQ50N120CH3XKSA1
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IKQ50N120CH3XKSA1

Infineon
カテゴリ: IGBT
概要: ロー スイッチング 損失 IGBT in Highspeed3 技術 copacked 付き soft, fast recovery 全 電流 rated anti-パラレル Emitter Controlled ダイオード
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IKQ50N120CH3XKSA1 INFINEON 15000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-エミッタ間飽和電圧 (VCE(sat)) 2.35 V
連続コレクタ電流 (Ic) 100 A
最低動作温度 -40 °C
ターンオフ遅延時間 297 ns
ターンオン遅延時間 34 ns
最大接合温度 (Tj) 175 °C
最大動作温度 175 °C
ケース/パッケージ TO-247-3
高さ 25.4 mm
梱包数量 240
発売日 2017-06-09
素子数 1
端子数 3
コレクタエミッタ間降伏電圧 1.2 kV
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 1.2 kV
最大コレクタ電流 100 A
最大消費電力 652 W
消費電力 652 W