BSR58
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

BSR58

onsemi
カテゴリ: ジフェト
概要: Nチャネル FET 小信号電界効果トランジスタ, 0.005A I(D), 40V, 1素子, Nチャネル, シリコン, 接合型FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
BSR58 PHILIPS 9530 12230 PDF 見積
BSR58 PH 92 2150 PDF 見積
BSR58 0 PDF 見積
BSR58 nsc dc98 3580 PDF 見積
BSR58 nxp dc0811 2560 PDF 見積
BSR58 fsc dc07 1955 PDF 見積
BSR58 PHIL 0 1 PDF 見積
BSR58 FAIR 2585 PDF 見積
BSR58 FAI 12000 PDF 見積
BSR58 FAIR 2585 PDF 見積
BSR58 12000 PDF 見積
BSR58 FairchildSemicond 43200 PDF 見積
BSR58 PH 1813 PDF 見積
BSR58 TH 9333 PDF 見積
BSR58 ON 3000 PDF 見積
BSR58 ONSEMI 6000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 40 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 40 V
1.3 mm
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOT-23
高さ 1.11 mm
長さ 2.9 mm
素子構成 1回路
発売日 1994-01-01
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 カットテープ
耐放射線 なし
重量 30 mg
降伏電圧 40 V
連続ドレイン電流 (ID) 80 mA
定格電流 50 mA
ゲートソース間電圧 (Vgs) -40 V
最大消費電力 250 mW
消費電力 250 mW
スケジュールB 8541210080, 8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080
ドレインソース間抵抗 60 Ω