BU4S11G2-TR
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

BU4S11G2-TR

ROHM
カテゴリ: ロジックゲート
概要: 1uA 3V~16V 1 30ns@15V,50pF NAND ゲート SOT-23-5 ゲート RoHS
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
BU4S11G2-TR ROHM 2013 3000 PDF 見積
BU4S11G2-TR 3000 PDF 見積
BU4S11G2-TR ROHM 8528 PDF 見積
BU4S11G2-TR ROHM 6000 PDF 見積
BU4S11G2-TR ROHM 2022 1241 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最大実装高 1.25 mm
ハイレベル出力電流 (IOH) 3.4 mA
最低動作温度 -40 °C
動作供給電圧 5 V
1.6 mm
ターンオン遅延時間 85 ns
最大動作温度 85 °C
温度グレード 産業用
ケース/パッケージ LSSOP
長さ 2.9 mm
入力ライン数 2
出力数 1
鉛フリー 鉛フリー
論理機能 NAND
実装方式 表面実装
回路数 1
素子数 1
ゲート数 1
ピン数 5
端子数 5
伝搬遅延 30 ns
耐放射線 なし
端子ピッチ 950 µm
ローレベル出力電流 (IOL) 3.4 mA
最大電源電圧 16 V
最小電源電圧 3 V
出力電流 3.4 mA
静止電流 (IQ) 1 µA
コンタクトめっき 銅, 錫
スケジュールB 8542390000, 8542390000|8542390000, 8542390000|8542390000|8542390000, 8542390000|8542390000|8542390000|8542390000