IPS511GTR
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IPS511GTR

Infineon
概要: IPS511G シリーズ 50 V 150 mOhm SMT ハイ 側 パワー MOSFET スイッチ - SOIC-8
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IPS511GTR IR 1,245 7588 PDF 見積
IPS511GTR IR 2500 PDF 見積
IPS511GTR IR 2500 PDF 見積
IPS511GTR IR 1320 2770 PDF 見積
IPS511GTR IR 10000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 50 V
最大実装高 1.75 mm
最低動作温度 -40 °C
動作供給電圧 6 V
3.9 mm
ターンオフ遅延時間 15 µs
ターンオン遅延時間 7 µs
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOP
電流 1.4 A
高さ 1.75 mm
長さ 4.9 mm
出力数 1
電圧 35 V
インターフェース オン/オフ
発売日 1999-10-15
鉛フリー 鉛含有
実装方式 表面実装
チャネル数 1
回路数 1
ピン数 8
端子数 8
梱包形態 テープ&リール (TR)
伝搬遅延 15 µs
耐放射線 なし
端子ピッチ 1.27 mm
連続ドレイン電流 (ID) 1.4 A
定格電流 1.4 A
最大出力電流 5 A