K4S281632F-UC75
※写真はイメージであり、
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異なる場合があります。

K4S281632F-UC75

Samsung
カテゴリ: RAM
概要: 同期 DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PDSO54
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
K4S281632F-UC75 SAMSUNG 2006 30 PDF 見積
K4S281632F-UC75 SAMSUNG 94+ 25 PDF 見積
K4S281632F-UC75 SAMSUNG 4月6日 238 PDF 見積
K4S281632F-UC75 SAMSUNG 05+ 28 PDF 見積
K4S281632F-UC75 SAMSUNG 05+/06+ 42 PDF 見積
K4S281632F-UC75 SAMSUNG 504/619 2 PDF 見積
K4S281632F-UC75 SAM 6 300 PDF 見積
K4S281632F-UC75 SAMSUNG 39 PDF 見積
K4S281632F-UC75 SAMSUNG 2,006 30 PDF 見積
K4S281632F-UC75 SAMSUNG 94-96 75 PDF 見積
K4S281632F-UC75 SAMSUNG 41,370 284 PDF 見積
K4S281632F-UC75 SAMSUNG 94 25 PDF 見積
K4S281632F-UC75 SAMSUNG 41,370 238 PDF 見積
K4S281632F-UC75 SAMSUNG 5 28 PDF 見積
K4S281632F-UC75 SAMSUNG 05+/06+ 42 PDF 見積
K4S281632F-UC75 SAMSUNG 504/619 2 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最大実装高 1.2 mm
最低動作温度 0 °C
動作供給電圧 3.3 V
10.16 mm
最大動作温度 70 °C
温度グレード 商用
長さ 22.22 mm
アクセス時間 6 ns
周波数 133 MHz
発売日 2004-08-20
鉛フリー 鉛フリー
最大周波数 133 MHz
回路数 1
ピン数 54
ポート数 1
端子数 54
端子ピッチ 800 µm
最大供給電流 200 mA
最大電源電圧 3.6 V
最小電源電圧 3 V
コンタクトめっき 錫 ビスマス
最終受注日 2006-06-30