KM48V2104BS-L6
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

KM48V2104BS-L6

Samsung
カテゴリ: RAM
概要: EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
KM48V2104BSL6 U/K 97 40 PDF 見積
KM48V2104BS-L6 SAMSUNG 97 8 PDF 見積
KM48V2104BS-L6 SAMSUNG 97 16 PDF 見積
KM48V2104BS-L6 SAMSUNG 97 8 PDF 見積
KM48V2104BS-L6 SAMSUNG 98 8 PDF 見積
KM48V2104BS-L6 SAMSUNG 97 235 PDF 見積
KM48V2104BS-L6 SAMSUNG 97 104 PDF 見積
KM48V2104BS-L6 SAMSUNG 97 176 PDF 見積
KM48V2104BS-L6 SAMSUNG 97 16 PDF 見積
KM48V2104BS-L6 SamsungSemiconductor 1 PDF 見積
KM48V2104BS-L6 SamsungSemiconductor 12 PDF 見積
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KM48V2104BS-L6 SamsungSemiconductor 59 PDF 見積
KM48V2104BS-L6 SamsungSemiconductor 15 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最大実装高 1.2 mm
最低動作温度 0 °C
動作供給電圧 3.3 V
7.62 mm
最大動作温度 70 °C
温度グレード 商用
長さ 18.41 mm
アクセス時間 60 ns
回路数 1
ポート数 1
端子数 28
端子ピッチ 1.27 mm
最大供給電流 100 mA
最大電源電圧 3.6 V
最小電源電圧 3 V