BFP183WE6327
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

BFP183WE6327

Infineon
カテゴリ: RF BJT
概要: RF小信号バイポーラトランジスタ, 0.065A I(C), 1素子, 超高周波帯, シリコン, NPN
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
BFP183WE6327 INFINEON 350 100 PDF 見積
BFP183WE6327 InfineonTechnolog 19546 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) 20 V
連続コレクタ電流 (Ic) 65 mA
最大破壊電圧 12 V
最低動作温度 -65 °C
定格電圧 (DC) 12 V
利得帯域幅積 (GBWP) 8 GHz
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ SOT-343-4
周波数 8 GHz
ゲイン 22 dB
hFE最小 50
発売日 1997-02-01
鉛フリー 鉛フリー
最大周波数 8 GHz
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 4
端子数 4
極性 NPN
遷移周波数 8 GHz
コレクタエミッタ間降伏電圧 12 V
コレクタエミッタ間電圧 (VCEO) 12 V
定格電流 65 mA
エミッタベース間電圧 (VEBO) 2 V
最大コレクタ電流 65 mA
最大消費電力 450 mW
消費電力 450 mW
最終受注日 2012-03-31
最終納入日 2012-09-30